离子束刻蚀系统为一种在物理学、工程与技术科学基础学科、电子与通信技术领域得到应用的工艺试验仪器，其启用于2005年10月1日。

离子束刻蚀系统影响因素

真空应用有关的离子束刻蚀中，存在的主要问题包括加工质量与加工效率。其中刻蚀速率为加工效率的主要体现。

在离子束刻蚀中，通过单位时间内刻蚀的深度来表示刻蚀速率。总而言之，其和溅射率、到达表面的离子通量密度以及材料的原子密度相关联。

1、靶材的原子密集程度

离子束刻蚀的刻蚀速率和原子的密集程度成负相关，也就是在相同的溅射率下，越高的靶材密度，越小的原子量，就会有越低的刻蚀速率。

2、束流密度

刻蚀速率与束流密度成线性关系，即为当有着较低束流密度和离子能量，溅射率不会随着束流密度发生改变。当有过高的束流密度时，可能会对表面的某些物理化学状态有所破坏，会复杂化溅射过程，从而使得刻蚀速率由线性关系偏离。

3、溅射率

刻蚀速率和溅射率成正相关。残余气体的组分、温度、升华热、表面状态、晶格结构、靶材的种类、入射角度、能量、入射离子的种类均会影响具体的溅射率。离子束刻蚀用的入射离子能量一般为300-2000电子伏特。如果入射离子的能量增大，那么刻蚀速度就会增大，然而也会增加表面损伤。