离子束刻蚀系统是一种用于物理学、工程与技术科学基础学科、电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2005年10月1日启用。

离子束刻蚀技术的优点和缺点

离子束刻蚀技术优点：

1、属于物理刻蚀，能够对刻蚀材料的限制进行突破。

2、刻蚀过程中能够对离子束入射角改变来对图形轮廓进行控制，对特殊的结构进行加工。

3、有着较好的方向性，没有钻蚀，有较高的陡直度。

4、刻蚀速率有着较好的可控性，有着较高的图形分辨率，CD能够低于0.1微米。

离子束刻蚀技术缺点：

1、属于物理刻蚀，经常会发生过刻的现象。

2、较慢的刻蚀速率，效率要低于ICP。

3、晶片的深刻蚀不太容易完成。

离子束刻蚀技术应用

先进的离子束溅射和离子束刻蚀工艺被应用来直接在金属测压膜片上制作应变电桥。因为传统的胶粘工艺不被使用，使应变式传感器的长期稳定性及抗蠕变特性得到了显著的改善，大大扩展了产品使用的温度。因为没有活动部件,有着非常强的抗振动和抗冲的能力，能够在恶劣的环境使用。

因为离子束刻蚀对材料无选择性，能够通过离子束来减薄那些无法或者难以通过化学研磨、电介研磨难以减薄的材料。除此以外，因为离子束可以对原子层进行逐层剥离，因此，微分析样品能力为其所具有并且能够用来进行精密加工。